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硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

国家标准
标准编号:GB/T 6617-1995 标准状态:已作废
标准价格:10.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围:10-3~102Ω·cm。
英文名称:  Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
标准状态:  已作废
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB 6617-1986;被GB/T 6617-2009代替
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  29.040.30
什么是UDC分类?  UDC分类:  669.782-415;317.33
什么是采标情况? 采标情况:  =ASTM F525-88
发布部门:  国家技术监督局
发布日期:  1995-04-18
实施日期:  1995-01-02
作废日期:  2010-06-01
首发日期:  1986-07-26
复审日期:  2004-10-14
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门:  国家标准化管理委员会
起草单位:  电子部标准化所
页数:  平装16开, 页数:8, 字数:12千字
出版社:  中国标准出版社
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