| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| SJ 2354.1-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管光电参数测试方法 总则 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.10-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管列阵串光因子的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.11-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管列阵音区宽度的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.12-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.13-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管倍增因子的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.14-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管过剩噪声指数的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.2-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.3-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管暗电流的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.4-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管正向压降的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.5-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管电容的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.6-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管响应度的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.7-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管光谱响应曲线和光谱响应范围的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.8-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管脉冲上升、下降时间的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2354.9-1983 |
ＰＩＮ、雪崩光电二极管噪声等效功率的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2355.1-1983 |
半导体发光器件测试方法 总则 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2355.2-1983 |
半导体发光器件测试方法 正向压降的测试方法 |
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1984-05-01 |
作废 |
| SJ 2355.3-1983 |
半导体发光器件测试方法 反向电流的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2355.4-1983 |
半导体发光器件测试方法 结电容的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2355.5-1983 |
半导体发光器件测试方法 法向光强和半强度角的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2355.6-1983 |
半导体发光器件测试方法 光通量的测试方法 |
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1984-07-01 |
作废 |
| SJ 2355.7-1983 |
半导体发光器件测试方法 发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法 |
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1984-03-01 |
作废 |
| SJ/Z 3220-1989 |
铝合金型材机柜、机箱典型结构图册 |
电子工业部
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1989-03-01 |
现行 |
| SJ/T 3231-2005 |
低熔焊接玻璃粉 |
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2005-09-01 |
废止 |
| SJ/T 3233-2008 |
真空电子器件电子枪支架玻杆 |
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现行 |
| SJ/T 3326-2001 |
陶瓷？金属封接抗拉强度测试方法 |
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2002-05-01 |
作废 |
| SJ 50033/162-2003 |
半导体分立器件2CW1022型硅双向电压调整二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/163-2003 |
半导体分立器件3DK457型功率开关晶体管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/164-2003 |
半导体分立器件PIN0002型PIN二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/165-2003 |
半导体分立器件PIN0003型PIN二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/166-2004 |
半导体分立器件3DA507型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/167-2004 |
半导体分立器件3DA508型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/168-2004 |
半导体分立器件3DA509型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/169-2004 |
半导体分立器件3DA510型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/170-2007 |
半导体分立器件 3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/171-2007 |
半导体分立器件 3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/172-2007 |
半导体分立器件 3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/173-2007 |
半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/174-2007 |
半导体分立器件 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/175-2007 |
半导体分立器件 3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/176-2007 |
半导体分立器件 3DA523型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |