硅材料原生缺陷图谱 |
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| 标准编号：GB/T 30453-2013 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：108.0 元 |
客户评分：  |
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本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。
本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。 |
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| 英文名称： |
Metallographs collection for original defects of crystalline silicon |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2013-12-31 |
| 实施日期： |
2014-10-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所 |
| 起草人： |
孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容、楼春兰、王飞尧、石宇、刘云霞、陈赫、梁洪、罗莉萍、李咏梅、齐步坤、李慧、向磊 |
| 页数： |
88页【彩图】 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2014-10-01 |
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本标准按照 GB/T1.1—2009制定的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容、楼春兰、王飞尧、石宇、刘云霞、陈赫、梁洪、罗莉萍、李咏梅、齐步坤、李慧、向磊。 |
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前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 硅多晶结构的不完整性 1
5 硅单晶晶体缺陷 4
6 硅片加工缺陷 9
7 硅外延片缺陷 11
附录 A (资料性附录) 氢致缺陷图 76
索引 79 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T14264 半导体材料术语 |
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