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半导体材料牌号表示方法

国家标准
标准编号:GB/T 14844-2018 标准状态:现行
标准价格:29.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
英文名称:  Designations of semiconductor materials
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 14844-1993
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2018-12-28
实施日期:  2019-11-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
起草单位:  浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司
起草人:  楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、张雪囡、丁晓民、贺东江
页数:  12 页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2019-01-01
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本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2018年第17号 [2019-01-03]

半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
 GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
 GB/T 1554-2009  硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
 GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
 GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范
 GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范
 GB/T 24574-2009  硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
 GB/T 24575-2009  硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
 免费下载半金属与半导体材料综合标准相关目录

半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
 GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
 GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范
 GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范
 GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
 GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
 GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
 GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
 GB/T 20228-2021 砷化镓单晶
 GB/T 20229-2006 磷化镓单晶
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