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硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

国家标准
标准编号:GB/T 13388-2009 标准状态:现行
标准价格:29.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了α角的测量方法,α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。
本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定,且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。
英文名称:  Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 13388-1992
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
什么是采标情况? 采标情况:  MOD SEMI MF847-0705
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2009-10-30
实施日期:  2010-06-01
首发日期:  1992-02-19
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:  有研半导体材料股份有限公司
起草人:  孙燕、卢立延、杜娟、翟富义、高玉锈
计划单号:  20065628-T-469
页数:  12页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2010-06-01
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本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) [2009-11-17]

半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
 GB/T 14141-2009  硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
 GB/T 14144-2009  硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
 GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
 GB/T 14264-1993 半导体材料术语
 GB/T 14264-2009  半导体材料术语
 GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
 GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
 GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
 GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 14139-2009 硅外延片
 GB/T 14139-2019 硅外延片
 GB/T 14140-2009  硅片直径测量方法
 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
 GB/T 1554-2009  硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
 GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
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