| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 20992-2007 |
高压直流输电用普通晶闸管的一般要求 |
国家质量监督检验检疫.
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2008-02-01 |
现行 |
| GB/T 21039.1-2007 |
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-11-01 |
现行 |
| GB/T 21420-2008 |
高压直流输电用光控晶闸管的一般要求 |
国家质量监督检验检疫.
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2008-09-01 |
现行 |
| GB/T 249-1989 |
半导体分立器件型号命名方法 |
信息产业部（电子）
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1990-04-01 |
作废 |
| GB/T 249-2017 |
半导体分立器件型号命名方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-12-01 |
现行 |
| GB/T 26111-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 术语 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 29332-2012 |
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
国家质量监督检验检疫.
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2013-06-01 |
现行 |
| GB/T 32817-2016 |
半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 32872-2016 |
空间科学照明用LED筛选规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2016-11-01 |
现行 |
| GB/T 37660-2019 |
柔性直流输电用电力电子器件技术规范 |
国家市场监督管理总局.
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2020-01-01 |
现行 |
| GB/T 4023-1997 |
半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 |
国家技术监督局
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1998-09-01 |
作废 |
| GB/T 4023-2015 |
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-01-01 |
现行 |
| GB/T 41852-2022 |
半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2022-10-12 |
现行 |
| GB/T 41853-2022 |
半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 |
国家市场监督管理总局.
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2022-10-12 |
现行 |
| GB/T 42158-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 微沟槽和棱锥式针结构的描述和测量方法 |
国家市场监督管理总局.
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2023-07-01 |
现行 |
| GB/T 42191-2023 |
MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 42597-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 陀螺仪 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 42706.5-2023 |
电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 43493.1-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 43493.2-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 43493.3-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 4586-1994 |
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
现行 |
| GB/T 4587-1994 |
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 |
国家质量监督检验检疫.
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1995-08-01 |
作废 |
| GB/T 4587-2023 |
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 |
国家市场监督管理总局.
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2024-04-01 |
现行 |
| GB/T 4589.1-1989 |
半导体器件 分立器件和集成电路总规范(可供认证用) |
信息产业部（电子）
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1990-01-01 |
作废 |
| GB/T 4589.1-2006 |
半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 4937-1995 |
半导体器件机械和气候试验方法 |
国家技术监督局
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1996-08-01 |
作废 |
| GB/T 4937.1-2006 |
半导体器件 机械和气候试验 第1部分:总则 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 4937.11-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.12-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.13-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.14-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.15-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.17-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.18-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐照(总剂量) |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.19-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.2-2006 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 4937.20-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.201-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.21-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |