| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB 9432-1988 |
工业加热用四极管空白详细规范 |
信息产业部（电子）
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1989-02-01 |
作废 |
| JB/T 10096-2000 |
电力半导体器件管壳结构及选用导则 |
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2000-10-01 |
现行 |
| JB/T 10097-2000 |
电力半导体器件和管壳 |
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2000-10-01 |
现行 |
| JB/T 11050-2010 |
交流固态继电器 |
工业和信息化部
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2010-07-01 |
现行 |
| JB/T 9684-2000 |
电力半导体器件用散热器选用导则 |
国家机械工业局
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 10229-1991 |
ＸＪ４８１０半导体管特性图示仪 |
机械电子工业部
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1991-12-01 |
废止 |
| SJ/T 11152-1998 |
交流粉末电致发光显示器件空白详细规范 |
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1998-05-01 |
现行 |
| SJ/T 11225-2000 |
电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 |
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 11226-2000 |
电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 |
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 11227-2000 |
电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 |
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ 20938-2005 |
微波电路变频测试方法 |
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2006-06-01 |
现行 |
| SJ 20957-2006 |
大功率半导体激光二极管阵列通用规范 |
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2006-12-30 |
现行 |
| SJ 20961-2006 |
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 |
|
2006-12-30 |
现行 |
| SJ 20972-2007 |
电荷耦合成像组件通用规范 |
|
2007-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/162-2003 |
半导体分立器件2CW1022型硅双向电压调整二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/163-2003 |
半导体分立器件3DK457型功率开关晶体管详细规范 |
|
2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/164-2003 |
半导体分立器件PIN0002型PIN二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/165-2003 |
半导体分立器件PIN0003型PIN二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/166-2004 |
半导体分立器件3DA507型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/167-2004 |
半导体分立器件3DA508型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/168-2004 |
半导体分立器件3DA509型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
|
2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/169-2004 |
半导体分立器件3DA510型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/170-2007 |
半导体分立器件 3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/171-2007 |
半导体分立器件 3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/172-2007 |
半导体分立器件 3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/173-2007 |
半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/174-2007 |
半导体分立器件 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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|
现行 |
| SJ 50033/175-2007 |
半导体分立器件 3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| SJ 50033/176-2007 |
半导体分立器件 3DA523型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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现行 |
| T/CEC 155-2018 |
柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件的一般要求 |
中国电力企业联合会
|
2018-04-01 |
现行 |
| T/CIE 115-2021 |
电子元器件失效机理、模式及影响分析(FMMEA)通用方法和程序 |
中国电子学会
|
2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 116-2021 |
电子元器件故障树分析方法与程序 |
中国电子学会
|
2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 119-2021 |
半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 |
中国电子学会
|
2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 121-2021 |
逆导型IGBT的热阻测试方法 |
中国电子学会
|
2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 145-2022 |
辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 |
中国电子学会
|
2023-01-31 |
现行 |
| T/CIE 147-2022 |
空间行波管加速寿命试验评估技术规范 |
中国电子学会
|
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现行 |
| T/IAWBS 004-2017 |
电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 |
中关村天合宽禁带半导.
|
2017-12-31 |
现行 |
| T/QGCML 2892-2023 |
电动汽车电驱动用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块技术条件 |
全国城市工业品贸易中.
|
2023-12-31 |
现行 |
| T/SLEIA 0003-2024 |
光电耦合器可靠性评价方法 |
深圳市龙岗区电子行业.
|
2024-02-26 |
现行 |
| T/SLEIA 0004-2024 |
集成电路芯片长期贮存技术规范 |
深圳市龙岗区电子行业.
|
2024-02-26 |
现行 |