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英文名称: |
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method |
替代情况: |
替代GB/T 1551-2009 |
中标分类: |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
ICS分类: |
冶金>>77.040金属材料试验 |
发布部门: |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
发布日期: |
2021-05-21 |
实施日期: |
2021-12-01
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提出单位: |
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2) |
归口单位: |
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2) |
起草单位: |
中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司等 |
起草人: |
刘立娜、刘兆枫、何烜坤、刘刚、杨素心、孙燕、高英、王昕、梁洪、潘金平、楼春兰、宗冰、李慎重、潘文宾、蔡丽艳、王志强、皮坤林 |
页数: |
28页 |
出版社: |
中国标准出版社 |