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硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

国家标准
标准编号:GB/T 1551-2021 标准状态:现行
标准价格:49.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm~8 103 ·cm,n型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm~1.5 104 ·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1 10-3 ·cm~1 104 ·cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
英文名称:  Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 1551-2009
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2021-05-21
实施日期:  2021-12-01
提出单位:  全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)
起草单位:  中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司等
起草人:  刘立娜、刘兆枫、何烜坤、刘刚、杨素心、孙燕、高英、王昕、梁洪、潘金平、楼春兰、宗冰、李慎重、潘文宾、蔡丽艳、王志强、皮坤林
页数:  28页
出版社:  中国标准出版社
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