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关于召开2006年度全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会年会的通知
中色标所字[2006] 18 号


    来源:中国有色金属工业标准计量质量研究所     更新时间:2006-10-24       评论: 0

各标委会委员、会员单位及相关单位:

    现定于2006年11月27日~30日在湖南省长沙市召开2006年度全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会年会,请各标委会委员、会员单位及相关单位出席会议。现将有关事宜通知如下:
   
    一、会议内容和会议日程
   
    1、2006年11月27日:全天报到。
   
    2、2006年11月 28日~30日:开会
   
    会议内容如下:
    ① 国家标准化管理委员会、全国半导体设备与材料标准化技术委员会领导讲话。
    ② 全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会秘书处作2006年度工作总结报告。
    ③ 表彰2006年度半导体材料标准化先进工作者
    ④ 落实2007年度半导体材料国、行标计划项目及推荐起草单位(见附件1)。P会员单位可在此基础上提出新标准项目,并经会议论证后确认。
    ⑤ 审定和讨论一批标准项目(见附件2)。

    二、会议报到地点及乘车路线
   
    1、报到地点: 湖南省长沙市枫林宾馆(长沙市枫林路81号)
   
    2、乘车路线:
    ①长沙火车站出站口前公交车坪乘坐12路、312路、314路、202路、彭立珊公交车至溁湾镇。火车站乘坐出租车到枫林宾馆费用约15元左右。②在机场乘民航大巴至民航大酒店,再转乘12路、312路、314路、202路、彭立珊公交车至溁湾镇。机场乘出租车到枫林宾馆费用约需90元左右。

    三、联系人、联系电话

    本次会议的由湖南芙蓉旅行社承办。
    联系电话: 0731-8870089、0731-8883188
    标委会秘书处:贺东江、向  磊(010)62228796。

    四、费用
   
    会议收取会务费800元/人。住宿统一安排,费用自理
   
    五、回执单
   
    务请各位参会代表将回执填妥,并于2006年11月20日前传真或请电话告知至秘书处,以便安排住宿等各项会务工作。否则将不能保证住宿和会议资料。
 
    附件1:  任务落实和推荐项目
    附件2:  审定和讨论项目

二○○六年十月十四日

抄报:国家标准化管理委员会
      中国有色金属工业协会
      全国半导体设备和材料标准化技术委员会

附件1:
任务落实和推荐项目

序号
计划编号
项目名称
被代替国标号
完成年限
原起草单位
1.       
20064809-T-469
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
2008
峨嵋半导体材料厂
2.       
20065620-T-469
半导体单晶晶向测定方法
2007
峨嵋半导体材料厂
3.       
20065621-T-469
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
2007
上海有色金属研究所
4.       
20065622-T-469
电子材料晶片参考面长度测量方法
2007
北京有色金属研究总院
5.       
20065623-T-469
高纯镓
2007
北京有色金属研究总院
6.       
20065624-T-469
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
2007
峨嵋半导体材料厂
7.       
20065625-T-469
硅抛光片表面平整度测试方法
2007
上海第二冶炼厂
8.       
20065626-T-469
硅抛光片表面质量目测检验方法
2007
上海第二冶炼厂
9.       
20065627-T-469
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
2007
峨嵋半导体材料厂
10.   
20065628-T-469
硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
2007
北京有色金属研究总院
11.   
20065629-T-469
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
2007
上海有色金属研究所
12.   
20065630-T-469
硅片厚度和总厚度变化测试方法
2007
北京有色金属研究总院
13.   
20065631-T-469
硅片翘曲度非接触式测试方法
2007
洛阳单晶硅有限责任公司
14.   
20065632-T-469
硅片弯曲度测试方法
2007
洛阳单晶硅有限责任公司
15.   
20065633-T-469
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
2007
上海第二冶炼厂
16.   
20065634-T-469
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
2007
峨嵋半导体材料厂
17.   
20065636-T-469
锑化铟多晶、单晶及切割片
GB/T11072-89
2007
峨嵋半导体材料厂
18.     
行标
硅粉
制定
2008
 

附件2: 
审定和讨论项目
(项目稿件可在www.cnsmq.com下载)

序号
标准名称
制定或修订
起草单位
备注
1.     
高纯二氧化锗分析方法(6部分)YS/T 37-1992
修订
国家有色金属及电子材料分析测试中心
审定
2.     
修订
峨眉半导体材料厂
审定
3.     
硅片直径测量方法(GB/T 14140.1-1993GB/T 14140.2-1993
整合修订
洛阳单晶硅有限责任公司
审定
4.     
锗单晶、锗单晶片(GB/T 15713-1995GB/T 5238-1995
整合修订
南京锗厂有限责任公司
审定
5.     
半导体材料术语GB/T 14264-1993
修订
有色标准所、北京有色院、浙大海纳、上海贝岭、电子55所、中科院半导体所、洛阳单晶硅、峨眉半导体、万向硅峰、洛阳中硅、南京锗厂、东兴集团公司、宁波立立、西安骊晶、电子13所、广州半导体所等
审定
6.     
高纯四氯化锗YS/T13-1991
修订
北京有色金属研究总院
审定
7.     
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997
修订
峨嵋半导体材料厂
审定
8.     
硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995
修订
洛阳单晶硅有限责任公司
讨论
9.     
硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995
修订
洛阳单晶硅有限责任公司
讨论
 10.               
硅外延片GB/T 14139-1993
修订
宁波立立电子材料有限公司
讨论
11.               
锗精矿YS/T 300-1994
修订
云南东兴集团公司
讨论

 
           
 
(请务必于2006年11月20日前传真至秘书处)
 
秘书处传真:(010)62228796
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