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实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了港口轮胎起重机(以下简称起重机)的产品分类及基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于港口装卸件杂货及散货用的轮胎起重机。 标准定价: ￥ 49.0 元         GB/T 14604-2009  电子工业用气体 氧  (现行) 中标分类:  化工>>其他化工产品>>G86工业气体与化学气体 ICS 分类:  化工技术>>化工产品>>71.100.20工业气体 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了电子工业用氧的技术要求,试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法、电解法提取的气态或液态氧,以及经纯化方法得到的氧。它们主要用于二 氧化硅化学气相淀积,用作氧化源和生产高纯水的反应剂,用于等离子体蚀刻和剥离、光导纤维 ... 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 14603-2009  电子工业用气体 三氟化硼  (现行) 中标分类:  化工>>其他化工产品>>G86工业气体与化学气体 ICS 分类:  化工技术>>化工产品>>71.100.20工业气体 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了电子工业用三氟化硼的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮运及安全要求。 本标准适用于以氟气和硼单质为原料,采用直接化合的方法制得并经过纯化制取的三氟化硼;和以氟硼酸钠为原料热分解法制得并经过纯化制取的三氟化硼。主要用于半导体器件 ... 标准定价: ￥ 31.0 元         GB/T 14601-2009  电子工业用气体 氨  (现行) 中标分类:  化工>>其他化工产品>>G86工业气体与化学气体 ICS 分类:  化工技术>>化工产品>>71.100.20工业气体 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了氨的技术要求,试验方法,检验规则及产品的包装、标志、运输、贮存及安全要求。 本标准适用于半导体工业,氮化硅、氮化镓的化学气相淀积,也可用于硅或氧化硅的氮化。 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 14600-2009  电子工业用气体 氧化亚氮  (现行) 中标分类:  化工>>其他化工产品>>G86工业气体与化学气体 ICS 分类:  化工技术>>化工产品>>71.100.20工业气体 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了氧化亚氮的技术要求,试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于电子工业中化学气相淀积工艺。 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 14264-2009 半导体材料术语 (作废) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。 本标准适用于元素和化合物半导体材料。 标准定价: ￥ 81.0 元         GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 (作废) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容?电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。 本标准也可适用于硅抛光片的 ... 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 14144-2009  硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法  (现行) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 14141-2009  硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法  (现行) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的 ... 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 14139-2009 硅外延片 (作废) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。 本标准适用于在Ｎ 型硅抛光片衬底上生长的ｎ型外延层（Ｎ／Ｎ＋ ）和在ｐ型硅抛光片衬底上生长的Ｐ型外延层（Ｐ／Ｐ＋ ）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件 ... 标准定价: ￥ 24.0 元         GB/T 13608-2009  合理润滑技术通则  (现行) 中标分类:  能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 ICS 分类:  机械系统和通用件>>21.260润滑系统 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了合理润滑的术语和定义、合理润滑设计、润滑剂产品供应、润滑剂使用和润滑剂报废及再利用等技术要求。 本标准适用于需要给予润滑的设备的设计与制造以及使用与管理;润滑剂的生产;润滑剂的使用与管理;报废润滑剂的处理与再利用。 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 (现行) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了α角的测量方法，α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。 标准定价: ￥ 29.0 元         共有8769条符合状态条件的标准，共585页 [30] [31] [32] [33] [34] [35] 36 [37] [38] [39] [40] [41] [42] [下一页]

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