GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法 |
 |
| 标准编号：DB13/T 5695-2023 |
标准状态：现行 |
|
| 标准价格：0.0 元 |
客户评分：  |
|
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务！ |
|
|
|
|
|
本文件规定了GaNHEMT射频器件陷阱效应的测试原理、测试环境、测试系统、测试步骤、试验数据处理。
本文件适用于GaNHEMT射频器件陷阱效应评估，GaNHEMT射频芯片、模块和晶圆级封装产品可参照使用。 |
|
|
|
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>31.080半导体器件 |
| 发布部门： |
河北省市场监督管理局 |
| 发布日期： |
2023-05-06 |
| 实施日期： |
2023-06-06
|
| 提出单位： |
石家庄市市场监督管理局 |
| 起草单位： |
河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科技股份有限公司 |
| 起草人： |
卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、陈勇 |
|
|
|
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本文件由石家庄市市场监督管理局提出。
本文件起草单位:河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科技股份有限公司。
本文件主要起草人:卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、陈勇。
本文件为首次发布。 |
|
|
|
| |