电子级多晶硅 |
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| 标准编号：GB/T 12963-2014 |
标准状态：已作废 |
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| 标准价格：24.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。 |
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| 英文名称： |
Electronic-grade polycrystalline silicon |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
被GB/T 12963-2022代替;替代GB/T 12963-2009 |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2014-12-31 |
| 实施日期： |
2015-09-01
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| 作废日期： |
2023-07-01
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| 提出单位： |
半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2) |
| 归口单位： |
半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2) |
| 起草单位： |
峨嵋半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司 |
| 起草人： |
詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2015-09-01 |
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本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T12963—2009《硅多晶》。本标准与 GB/T12963—2009相比,主要有如下变动:
———增加引用国家标准 GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(见第2章);
———增加了多晶硅的技术参数,包括施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度的要求(见表1);
———不同等 级 多 晶 硅 的 碳 浓 度 由 <1.5×1016atoms/cm3、<2×1016 atoms/cm3、<2×1016
atoms/cm3修订为<4.0×1015atoms/cm3、<1.0×1016atoms/cm3、<1.5×1016atoms/cm3(见表1)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。
本标准起草人:詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。 |
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