第一次会议：项目包括（修改）   （洛阳）     六月

国标

项目名称

主起草单位

备注

GB/T 14264-1993

半导体材料术语

中国有色金属工业标准计量质量研究所、有色院等

第二次会议

GB/T 1555-1997

半导体单晶晶向测定方法

峨嵋半导体材料厂

讨论会 

GB/T 1558-1997

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

峨嵋半导体材料厂

讨论会

GB/T 4058-1995

硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

峨嵋半导体材料厂

讨论会

GB/T 6616-1995

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定  非接触涡流法

有研半导体材料股份有限公司

讨论会

GB/T 6617-1995

硅片电阻率测定  扩展电阻探针法

中科院半导体所

讨论会

GB/T 6618-1995

硅片厚度和总厚度变化测试方法

有研半导体材料股份有限公司

讨论会

GB/T 6619-1995

硅片弯曲度测试方法

洛阳单晶硅有限责任公司

讨论会

GB/T 6620-1995

硅片翘曲度非接触式测试方法

洛阳单晶硅有限责任公司

讨论会

GB/T 6621-1995

硅抛光片表面平整度测试方法

上海合晶硅材料有限公司

讨论会

GB/T 6624-1995

硅抛光片表面质量目测检验方法

上海合晶硅材料有限公司

讨论会

GB/T 10118-1988

高纯镓

有研半导体材料股份有限公司

讨论会

GB/T 11072-1989

锑化铟多晶、单晶及切割片

峨嵋半导体材料厂

讨论会

GB/T 13387-1992

电子材料晶片参考面长度测量方法

有研半导体材料股份有限公司

讨论会

GB/T 13388-1992

硅片参考面结晶学取向X射线测量方法

有研半导体材料股份有限公司

讨论会

GB/T 14141-1993

硅处延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定  直排四探针法

峨嵋半导体材料厂

讨论会 

GB/T 14146-1993

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

峨嵋半导体材料厂

讨论会

第二次会议：项目包括          （青岛）       八月

国标

项目名称

主起草单位

备注

GB/T 1550-1997

非本征半导体材料导电类型测试方法

峨嵋半导体材料厂

讨论会

整合

GB/T 1551-1995

GB/T 1552-1995

硅、锗单晶电阻率测定  直流两探针法

硅、锗单晶电阻率测定  直排四探针法

广州半导体所

讨论会

GB/T 1553-1997

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

峨嵋半导体材料厂

讨论会 

GB/T 1554-1995

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

峨嵋半导体材料厂

讨论会

GB/T 4061-1983

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

洛阳中硅

讨论会

GB/T 10117-1988

高纯锑

峨嵋半导体材料厂

讨论会

GB/T 12963-1996

硅多晶

洛阳单晶硅有限责任公司

讨论会

GB/T 14140-1993

硅片直径测量方法

洛阳单晶硅有限责任公司

讨论会

GB/T 14139-1993

硅外延片

上海合晶硅材料有限公司

讨论会 

GB/T 14144-1993

硅晶中间隙氧含量径向变化测量方法

峨嵋半导体材料厂

讨论会

整合

GB/T 15713-1995、GB/T 5238-1995

锗单晶、锗单晶片

南京锗厂有限责任公司

讨论会

第三次会议：项目包括           半导体年会

国标

项目名称

主起草单位

备注

GB/T 14264-1993

半导体材料术语

中国有色金属工业标准计量质量研究所

审定

GB/T

太阳能电池用单晶硅

中国有色金属工业标准计量质量研究所

讨论会

GB/T

太阳能电池用多晶硅

中国有色金属工业标准计量质量研究所

讨论会

GB/T

使用全反射X光荧光光谱测量硅片表面金属玷污的测试方法

有研半导体材料股份有限公司

讨论会

GB/T

半导体衬垫材料的亚表面损伤偏振反射差分谱（RDS）测试方法

中国科学院半导体研究所

讨论会

GB/T

硅片平整度、厚度及厚度变化测试 自动非接触扫描法

上海合晶硅材料有限公司

讨论会