中国标准分类[H80半金属与半导体材料综合]-工标网

高级查询

您的位置:工标网 >> 标准分类 >> 中标分类 >> H冶金 >> H80/84 半金属与半导体材料 >> H80半金属与半导体材料综合

购书咨询:400-7255 888(免长话费)

标准编号	标准名称	发布部门	实施日期	状态
GB/T 30453-2013	硅材料原生缺陷图谱	国家质量监督检验检疫.	2014-10-01	现行
GB/T 32279-2015	硅片订货单格式输入规范	国家质量监督检验检疫.	2017-01-01	现行
GB/T 34479-2017	硅片字母数字标志规范	国家质量监督检验检疫.	2018-07-01	现行
GB/T 35316-2017	蓝宝石晶体缺陷图谱	国家质量监督检验检疫.	2018-07-01	现行
GB/T 37051-2018	太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法		2019-04-01	现行
GB/T 4058-2009	硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	现行
GB/T 4061-2009	硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	现行
GB/T 43612-2023	碳化硅晶体材料缺陷图谱	国家市场监督管理总局.	2024-07-01	即将实施
GB/T 6616-2009	半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	作废
GB/T 6617-2009	硅片电阻率测定扩展电阻探针法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	现行
GB/T 6618-2009	硅片厚度和总厚度变化测试方法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	现行
GB/T 6619-2009	硅片弯曲度测试方法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	现行
GB/T 6621-2009	硅片表面平整度测试方法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	现行
GB/T 6624-2009	硅抛光片表面质量目测检验方法	国家质量监督检验检疫.	2010-06-01	现行
GB/T 8756-2018	锗晶体缺陷图谱	国家市场监督管理总局.	2019-07-01	现行
T/IAWBS 003-2017	碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法	中关村天合宽禁带半导.	2017-12-31	现行
YS/T 23-1992	硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法	中国有色金属工业总公.	1993-01-01	作废
YS/T 24-1992	外延钉缺陷的检验方法	中国有色金属工业总公.	1993-01-01	作废
YS/T 679-2008	非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法	国家发展和改革委员会	2008-09-01	作废
YS/T 838-2012	碲化镉	工业和信息化部	2013-03-01	现行
YS/T 985-2014	硅抛光回收片	工业和信息化部	2015-04-01	现行

找到61条相关标准，共2页 [1] 2

现行即将实施作废废止

相关标准分类		更多其他分类>>
H80 半金属与半导体材料综合[5]	H81 半金属[39]	H82 元素半导体材料[26]	H83 化合物半导体材料[10]

购书咨询:0898-3137-2222/13876321121

QQ:1197428036 992023608 有问题？联系在线客服